Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

N° de Modèle.
OST40N120HMF TO-247N
Modèle
Orientalsemi
Numéro de lot
2023
Marque
Orientalsemi
Paquet de Transport
Carton
Spécifications
35.3x30x37.5/60x23x13
Marque Déposée
Orientalsemi
Origine
China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
Over 1kk/Month
Prix de référence
$ 0.09 - 0.54
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Description de Produit

Description générale
OST40N120HMF utilise la technologie brevetée de transistor bipolaire Trident-Gate (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible, une faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif est adapté aux convertisseurs de fréquence de commutation moyenne à haute.

Fonctionnalités
  • Technologie TGBTTM avancée
  • Excellente perte de conduction et de commutation
  • Excellente stabilité et uniformité
  • Diode antiparallèle rapide et souple

Applications
  • Convertisseurs à induction
  • Alimentations sans coupure


Paramètres de performance clés

 
Paramètre Valeur Unité
VCES, min. À 25 °C. 1200 V
Température de jonction maximale 175 °C
IC, impulsion 160 A
VCE(sat), type @ VGE=15 V. 1.45 V
QG 214 NF

Informations de marquage

 
Nom du produit Package Marquage
OST40N120HMF TO247 OST40N120HM

 
Valeurs nominales maximales absolues à Tvj=25°C sauf indication contraire
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de l'émetteur du collecteur VCES 1200 V
Tension de l'émetteur de grille
VGES 		±20 V
Tension d'émetteur de grille transitoire, TP≤0,5µs, D<0.001 ±25 V
Courant collecteur continu 1), TC=25ºC
CI 		56 A
Courant collecteur continu 1), TC=100ºC 40 A
Courant du collecteur pulse2), TC=25ºC IC, impulsion 160 A
Diode en fort1), TC=25ºC
SI 		56 A
Diode en fort1), TC=100ºC 40 A
Diode pulse2), TC=25ºC SI, Pulse 160 A
Power dissipation3), TC=25ºC
PD 		357 W
Power dissipation3), TC=100ºC 179 W
Température de fonctionnement et de stockage Tstg, Tvj -55 à 175 °C
Temps de résistance aux courts-circuits VGE=15 V, VCC≤600 V.
Nombre autorisé de courts-circuits < 1000 temps entre les courts-circuits :≥1.0 S.
Tvj=150 °C.

TSC

10

μs

Caractéristiques thermiques
Paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction RθJC 0.42 °C/W
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction RθJC 0.75 °C/W
Résistance thermique, ambient4) RθJA 40 °C/W
 

Caractéristiques électriques à Tvj=25°C sauf indication contraire
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension de claquage collecteur-émetteur V(BR)CES 1200   V VGE=0 V, IC=0.5 MA


Tension de saturation collecteur-émetteur


VCE (Sam) 		 1.45 1.8 V VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25°C.
 1.65  V VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125°C.
 1.8   VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175°C.
Porte-émetteur
tension de seuil 		VGE(TH) 4.8 5.8 6.8 V VCE=VGE, ID=0.5 MA


Tension avant de diode


VF 		 1.9 2.1 V VGE=0 V, IF=40 A TVJ =25°C.
 1.6   VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =125°C.
 1.5   VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =175°C.
Porte-émetteur
courant de fuite 		IGES   100 N/a VCE=0 V, VGE=20 V.
Courant du collecteur de tension de grille nulle ICES   10 ΜA VCE=1200V, VGE=0 V.
 

Caractéristiques dynamiques
 
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée CIES  11270  PF
VGE=0 V, VCE=25 V,
ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie COE  242  PF
Capacité de transfert inverse Cres  10  PF
Délai d'activation td(on)  120  ns


VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A.
Temps de montée tr  88  ns
Délai de mise hors tension td(désactivé)  246  ns
Temps de chute par  160  ns
Énergie d'activation EON  3.14  MJ
Couper l'énergie Eoff  1.02  MJ
Délai d'activation td(on)  112  ns


VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A.
Temps de montée tr  51  ns
Délai de mise hors tension td(désactivé)  284  ns
Temps de chute par  148  ns
Énergie d'activation EON  1.32  MJ
Couper l'énergie Eoff  0.53  MJ

Caractéristiques de charge de grille
 
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Charge totale de grille QG  214  NF
VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A.
Charge porte-émetteur QGE  103  NF
Frais de collecteur de grille QGC  40  NF

Caractéristiques de la diode corps
 
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Temps de récupération inverse de diode trr  293  ns VR=600 V, IF=40 A,
DIF/dt=500 A/μs Tvj = 25°C.
Charge de récupération inverse de diode Qrr  2.7  ΜC
Courant de récupération inverse de crête de diode Irrm  25  A

Remarque
  1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
  2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
  3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
  4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur la carte FR-4 de 1 in2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
 
Version 1 : dimensions du contour du boîtier TO247-P.


Informations de commande
 
Type de package Unités/tube Tubes/boîtier intérieur Unités/boîtier intérieur Boîtes intérieures/boîte de carton Unités/boîte de carton
TO247-P. 30 11 330 6 1980

Informations sur le produit
 
Produit Package Sans PB RoHS Sans halogène
OST40N120HMF TO247 oui oui oui


Clause de non-responsabilité
Les informations fournies dans le présent document ne sont en aucun cas considérées comme une garantie de conditions ou de caractéristiques. En ce qui concerne les exemples ou les indices donnés dans le présent document, les valeurs typiques énoncées dans le présent document et/ou toute information concernant l'application de l'appareil, Oriental Semiconductor rejette par les présentes toute garantie et responsabilité de quelque nature que ce soit, y compris, sans s'y limiter, les garanties de non-violation des droits de propriété intellectuelle de tout tiers.

Chaîne d'approvisionnement Fast and Soft Antiparallel Diode Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT



Déclaration de produit écologique

Fast and Soft Antiparallel Diode Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT
Fast and Soft Antiparallel Diode Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBTFast and Soft Antiparallel Diode Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT
Fast and Soft Antiparallel Diode Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

 

Semi-Conducteur

SUPERAUTO.CAT, 2023