Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

N° de Modèle.
OST40N120HMF TO-247N
Modèle
Orientalsemi
Numéro de lot
2023
Marque
Orientalsemi
Paquet de Transport
Carton
Spécifications
35.3x30x37.5/60x23x13
Marque Déposée
Orientalsemi
Origine
China
Code SH
8541290000
Capacité de Production
Over 1kk/Month
Prix de référence
$ 0.09 - 0.54
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Description de Produit

Description générale
OST40N120HMF utilise la technologie brevetée Oriental-Semi Trident-Gate avancé (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM) pour une très faible VCE(sat), faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Cet appareil est adapté pour le milieu de gamme haute les convertisseurs de fréquence de commutation.

Fonctionnalités
  • La technologie TGBTTM avancée
  • Excellente conduction et de pertes de commutation
  • Excellente stabilité et de l'homogénéité
  • Diode antiparallèles souple et rapide

Les applications
  • Convertisseurs d'induction
  • Blocs d'alimentation non interruptible


Les paramètres de performance clés

 
Le paramètre Valeur Unité
VCES, min @ 25°C 1200 V
Température de jonction maximum 175 °C
IC, de pouls 160 Un
VCE(sat), typ @ VGE=15V 1.45 V
Qg 214 NC

Marquage des informations

 
Nom du produit Paquet Le marquage
OST40N120HMF D247 OST40N120HM

 
Cotes de maximum absolu Tvj=25°C sauf indication contraire
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de l'émetteur de collecteur VCES 1200 V
Tension de l'émetteur de la porte
VGES 		±20 V
Émetteur de la porte de tension transitoire, TP≤0.5ΜS, d<0,001 ±25 V
Courant de collecteur continu1), TC=25ºC
IC 		56 Un
Courant de collecteur continu1), TC=100ºC 40 Un
Courant de collecteur d'impulsion2), TC=25ºC IC, de pouls 160 Un
Courant direct de diode1), TC=25ºC
Si 		56 Un
Courant direct de diode1), TC=100ºC 40 Un
Courant pulsé de diode2), TC=25ºC Si, de pouls 160 Un
La dissipation de puissance3), TC=25ºC
PD 		357 W
La dissipation de puissance3), TC=100ºC 179 W
Fonctionnement et la température de stockage Tvj Tstg, -55 à 175 °C
Court-circuit de résister à l'heure VGE=15 V, SCR≤600 V
Nombre autorisé de courts-circuits<1000 Temps entre les courts-circuits :≥1,0 s
Tvj=150 °C

TSC

10

Μs

Les caractéristiques thermiques
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique de l'IGBT, cas de jonction RθJC 0,42 °C/W
La diode résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.75 °C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4) RθJA 40 °C/W
 

Caractéristiques électriques à Tvj=25°C sauf indication contraire
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Tension de rupture collecteur-émetteur V(Br)SCE 1200   V VGE=0 V, IC=0,5 mA


Tension de saturation de collecteur-émetteur


VCE(sat) 		 1.45 1.8 V VGE=15 V, IC=40 Un Tvj=25 °C
 1.65  V VGE=15 V, IC=40 A, Tvj =125 °C
 1.8   VGE=15 V, IC=40 A, Tvj =175 °C
Porte-émetteur
La tension de seuil 		VGE(e) 4.8 5.8 6.8 V VCE=VGE, ID=0,5 mA


Diode de la tension de marche avant


VF 		 1.9 2.1 V VGE=0 V, Si=40 Un Tvj =25 °C
 1.6   VGE=0 V, Si=40 A, Tvj =125 °C
 1.5   VGE=0 V, Si=40 A, Tvj =175 °C
Porte-émetteur
Courant de fuite 		IGES   100 NA VCE=0 V, VGE=20 V
Courant de collecteur de tension zéro de la porte Le CIEM   10 Μa VCE=1200V, VGE=0 V
 

Les caractéristiques dynamiques
 
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée Le CIES  11270  PF
VGE=0 V, VCE=25 V,
Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie Centres d'excellence  242  PF
Transfert inverse de la capacité Cres  10  PF
Temps de retard de mise sous tension Td(le)  120  Ns


VGE=15 V, SCR=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A
Le temps de montée Tr  88  Ns
Désactiver le temps de retard Td(arrêt)  246  Ns
Temps de chute Tf  160  Ns
Tourner sur l'énergie Eon  3.14  MJ
Couper l'énergie Eoff  1.02  MJ
Temps de retard de mise sous tension Td(le)  112  Ns


VGE=15 V, SCR=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A
Le temps de montée Tr  51  Ns
Désactiver le temps de retard Td(arrêt)  284  Ns
Temps de chute Tf  148  Ns
Tourner sur l'énergie Eon  1.32  MJ
Couper l'énergie Eoff  0.53  MJ

Caractéristiques de charge de la porte
 
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Total des frais de porte Qg  214  NC
VGE=15 V, SCR=960 V, IC=40 A
Porte-charge de l'émetteur Qge  103  NC
Porte-charge de collecteur Qgc  40  NC

Caractéristiques de la diode du corps
 
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Temps de récupération de la diode de marche arrière Les DRT  293  Ns VR=600 V, Si=40 A,
Le diF/dt = 500 A/μs Tvj = 25 °C
Frais de récupération de la diode de marche arrière Qrr  2.7  ΜC
Pic de courant de récupération de la diode de marche arrière Irrm  25  Un

Remarque :
  1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
  2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
  3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
  4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
 
La version 1 : Pour247-P package dimension contour


Informations de commande
 
Type de paquet Unités/ tube Tubes/ boîte intérieure Unités/ boîte intérieure Les boîtes de carton intérieur/ Unités/ Boîte en carton
À247-P 30 11 330 6 1980

Informations produit
 
Produit Paquet Pb libre Compatible RoHS Sans halogène
OST40N120HMF D247 Oui Oui Oui


Legal Disclaimer
Les renseignements donnés dans ce document doit en aucun cas être considéré comme une garantie de conditions ou de caractéristiques. En ce qui concerne tout d'exemples ou des conseils donnés par les présentes, toute les valeurs typiques a déclaré dans le présent document et/ou de toute information concernant l'application de l'appareil, l'Oriental Semiconductor décline toute et toutes les garanties et le passif de tout genre, y compris sans limitation, les garanties de non-violation des droits de propriété intellectuelle de toute tierce partie.

Chaîne d'approvisionnement Built in Very Fast &amp; Soft Recovery Frd Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT



Déclaration de produits écologiques

Built in Very Fast &amp; Soft Recovery Frd Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT
Built in Very Fast &amp; Soft Recovery Frd Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBTBuilt in Very Fast &amp; Soft Recovery Frd Ost40n120hmf 10&micro; S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT
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Semi-Conducteur

SUPERAUTO.CAT, 2023