Applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V DC-1 kHz IGBT automobile discret (standard)

N° de Modèle.
OST40N120HMF TO-247N
Modèle
PC817
Numéro de lot
2010+
Marque
Orimental
applications
alimentation pc
Industries
éclairage led
caractéristiques
excellente stabilité et uniformité
description
perte de commutation extrêmement faible
Paquet de Transport
Air
Marque Déposée
Orientalsemiconductor
Origine
China
Code SH
854129000
Capacité de Production
20kkkk/Monthly
Prix de référence
$ 4.54 - 5.04
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Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités
  • RDS(ON) ET FOM FAIBLES
  • Perte de commutation extrêmement faible
  • Excellente stabilité et uniformité
  • Diode corps ultra-rapide et robuste

Applications                                                                                             
  • Alimentation PC
  • Puissance de télécommunication
  • Alimentation du serveur
  • Chargeur EV
  • Pilote de moteur
Automotive Applications Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT

Paramètres de performance clés
 
Paramètre Valeur Unité
VDS, min à TJ(max) 650 V
ID, impulsion 240 A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V. 30 MΩ
QG 178 NF

Informations de marquage
 
Nom du produit Package Marquage
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de la source de vidange VDS 600 V
Tension de la source de grille VGS ±30 V
Courant de drain continué1), TC=25 °C.
ID 		80
A
Courant de drain continué1), TC=100 °C. 50
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. ID, impulsion 240 A
Diode continue en forward current1), TC=25 °C. EST 80 A
Diode pulse2), TC=25 °C. EST, impulsion 240 A
Puissance dissipe3), TC=25 °C. PD 480 W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5) EAS 2500 MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID dv/dt 50 V/ns
Température de fonctionnement et de stockage Tstg, TJ -55 à 150 °C

Caractéristiques thermiques
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.26 °C/W
Résistance thermique, ambient4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange BVDSS 600   V VGS=0 V, ID=1 MA
Tension seuil de grille VGS(TH) 3.0  4.5 V VDS=VGS, ID=2 MA,

Source de vidange
résistance à l'état on
RDS(ON) 		 0.028 0.030
Ω 		VGS=10 V, ID=40 A
 0.058  VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille
IGS 		  100
N/a 		VGS = 30 V.
  -100 VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange IDS   10 ΜA VDS=600 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille RG  2.1  Ω ƒ=1 MHz, drain ouvert


Caractéristiques dynamiques
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée CISS  9343  PF
VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie COSS  708  PF
Capacité de transfert inverse FCR  15  PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie Co(er)  345  PF
VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps Co(tr)  1913  PF
Délai d'activation td(on)  52.1  ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée tr  105.2  ns
Délai de mise hors tension td(désactivé)  125.7  ns
Temps de chute par  4.1  ns

Caractéristiques de charge de grille
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Charge totale de grille QG  177.9  NF

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée QGS  37.4  NF
Grille de charge de vidange QGD  78.4  NF
Tension de plateau de grille Plateau Vplateau  6.2  V

Caractéristiques de la diode corps
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension avant de diode VSD   1.4 V EST = 80 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse trr  186.6  ns
EST=40 A,
Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée Qrr  1.6  ΜC
Courant de récupération inverse de crête Irrm  15.4  A

Remarque
  1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
  2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
  3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
  4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, TJ de départ=25 °C.
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Nous sommes fournisseur et fabricant de Power mosfet et IGBT semi-conducteur d'origine, nous pourrions fournir un prix compétitif et nous nous attendions à une livraison rapide et de bonne qualité avec un service rapide, nous avons notre propre équipe R&D et l'ingénieur pour s'assurer d'offrir le meilleur service aux clients pour un support durable .  
 
2. Puis-je avoir des échantillons pour les tests ?

Nous offrons des échantillons gratuits pour nos clients et ils ont seulement besoin de payer le fret pour les échantillons.

3. Qu'en est-il de la livraison ?

Habituellement, le délai est d'environ 1-4  semaines après la réception du paiement. Pour les pièces de production normale, veuillez nous en informer trois mois à l'avance comme plan d'approvisionnement global, nous aurions la quantité en stock toute l'année
4. Qu'en est-il des conditions de paiement ?

Cette question peut être abordée en fonction de la situation réelle de la commande.  
 
5. Qu'en est-il des conditions d'expédition ?

EXW SHANGHAI ; nous travaillons également avec DHL, FEDEX, TNT et etc pour une grande quantité , c'est aux clients de choisir le transitaire, notre nous pouvons offrir le service pour aider les clients   

6. Avez-vous des exigences minimales de commande?

En fonction des différents produits, pour la première commande d'essai à tester, nous pouvons offrir la quantité en fonction de la demande des clients,  pour la commande répétée, MOQ est basé sur la quantité minimale d'emballage.  
 
 

 

Semi-Conducteur

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