



MOSFET de puissance SIC à canal N 68A 1 200 V.
1 Description
Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence nécessitant un haut rendement et une grande fiabilité.
| Fonctionnalités |
| Efficacité du système accrue |
| Réduction des besoins en refroidissement |
| Densité de puissance accrue |
| Fréquence de commutation du système accrue |
| Applications |
| Alimentations |
| Convertisseurs DC/DC haute tension |
| Entraînements de moteur |
| Alimentations à découpage |
| Applications à puissance pulsée |
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | Conditions de test | VALEUR | UNITÉ |
| | | |
| Tension source-Drian | VDSmax | VGS=0 V, ID=100 ΜA | 1200 | V |
| Tension porte-à-source max | VGSmax | Valeurs maximales absolues | -10/+25 | V |
| Tension porte-à-source max | VGSS | Valeurs opérationnelles recommandées | -5/+20 | V |
| Courant de vidange continu | ID TC=25ºC | VGS=20V,TC=25ºC | 36 | A |
| TC=100 ºC | VGS=20V, TC=100ºC | 24 | A |
| Courant de vidange pulsé | IDM | Largeur d'impulsion tp limitée par TJmax | 80 | A |
| Dissipation de puissance | | Ptot | TC=25 ºC, TJ=150 ºC | 192 | W |
| | Ptot | TC=25 ºC, TJ=150 ºC | W |
| Plage de température de jonction | TJ | | -55 à 150 | ºC |
| Plage de température de stockage | Tstg | | -55 à 150 | ºC |
4.2 caractéristiques thermiques
| Paramètre | Symbole | Classement | Unitº |
| Résistance thermique, jonction au boîtier | RthJC | 0.6 | ºC/W |
| Résistance thermique, jonction à la température ambiante | RthJA | 40 | ºC/W |
| Spécifications du produit et modèles d'emballage |
| Modèle de produit | Type de package | Nom du repère | RoHS | Package | Quantité |
| DCC080M120A | TO-247-3L | DCC080M120A | Sans PB | Tube | 300/boîte |
| DCCF080M120A | TO-247-4L | DCCF080M120A | Sans PB | Tube | 300/boîte |