Um conversor Flyback Aux topologias de Interruptor Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

N ° de Modelo.
OSG90R1K2AF TO251
Modelo
PC817
Número de lote
2010+
Marca
Orimental
aplicações
alimentação do pc
indústrias
iluminação led
características
excelente estabilidade e uniformidade
descrição
perda de comutação extremamente baixa
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x30x37cm
Marca Registrada
Orientalsemiconductor
Origem
China
Código HS
854129000
Capacidade de Produção
20kkkk/Monthly
Preço de referência
$ 1.62 - 1.80
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Descrição de Produto

Descrição geral
O GreenMOS ® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
O GreenMOS ® da série Z é integrado com rápida recuperação do diodo (DRF) para minimizar o tempo de recuperação de ré. Ele é adequado para topologias de comutação ressonante para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Dispõe de
  • Baixa RDS (ligado) & FOM
  • Extremamente Baixa perda de comutação
  • Excelente estabilidade e homogeneidade
  • Ultra-rápido e robusto diodo do corpo

Os pedidos                                                                                             
  • Potência do PC
  • Potência de Telecom
  • A energia do servidor
  • Carregador de EV
  • Controlador do Motor


Os parâmetros de desempenho chave
 
O parâmetro Valor Unidade
O VDS , min @ tj (max) 650 V
ID , pulso 240 Um
RDS (ligado), Max @ VGS =10V 30 MΩ
Qg 178 NC

Marcação de informações
 
Nome do produto Package Marcação
Gsg60R030HZF A247 Gsg60R030HZ
As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 600 V
Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±30 V
Corrente de drenagem contínua 1) , Tc =25 °C
ID 		80
Um
Corrente de drenagem contínua 1) , TC =100 °C 50
Corrente de dreno pulsada 2) , Tc =25 °C ID , pulso 240 Um
Diodo contínua corrente de avanço 1) , Tc =25 °C É 80 Um
Corrente impulsada diodo 2) , Tc =25 °C É , pulso 240 Um
Dissipação de energia 3) , Tc =25 °C PD 480 W
Energia avalanche pulsada única 5) O EAS 2500 MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS =0…480 V Dv/dt 50 V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS =0…480 V, DSI ≤ID Dv/dt 50 V/ns
Temperatura de operação e armazenamento Tstg , TJ -55 a 150 °C

As características térmicas
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caso de junção RθJC 0.26 °C/W
Resistência térmica, cruzamento- ambient 4) RθJA 62 °C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem BVDSS 600     V VGS = 0 V, ID =1 mA
Tensão de limiar da porta VGS (TH) 3.0   4.5 V O VDS =VGS , ID =2 mA,

Fonte de drenagem
No estado de resistência
RDS (ligado) 		  0,028 0,030
Ω 		VGS =10 V, ID =40
  0,058   VGS =10 V, ID =40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga
IGSS 		    100
América do Norte 		VGS =30 V
    -100 VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS     10 ΜA O VDS =600 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado RG   2.1   Ω Ƒ = 1 MHz, abra o dreno


Características dinâmicas
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss   9343   PF
VGS = 0 V, VDS =50 V, ƒ=100 KHz
A capacitância de saída Coss   708   PF
A capacitância de transferência de ré Sir   15   PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada Co (ER)   345   PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas Co (tr)   1913   PF
Gire o tempo de atraso Td (a)   52.1   Ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =40
Tempo de elevação Tr   105.2   Ns
Tempo de retardo de desligamento Td (Desligado)   125,7   Ns
Tempo de queda Tf   4.1   Ns

Características de carga da porta
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg   177.9   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40
Porta de carga da fonte O programa QGS   37,4   NC
Porta de carga de drenagem Qgd   78,4   NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau   6.2   V

Características do Diodo do corpo
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do diodo VSD     1.4 V É =80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr   186,6   Ns
É =40 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr   1.6   ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm   15.4   Um

Nota
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 mH, começando a tj = 25 °C.
Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Topologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet

 

Semicondutor

TERAPIASINFRONTERAS.COM, 2023