8A 650 V Sic Barreira Schottky Diode SDS065J008s3

N ° de Modelo.
SDS065J008S3
Número de lote
2023
Marca
Wxdh
atual
8 a.
tensão
650 v
Pacote de Transporte
Reel
Marca Registrada
WXDH
Origem
Wuxi, China
Código HS
8541100000
Capacidade de Produção
500000000 Pieces/Year
Preço de referência
$ 0.01 - 13.50
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Descrição de Produto

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 8A 650V SchottkyBarrierDiode SIC
1 Descrição
Série de SIC família de produtos oferece estado da arte do desempenho. Ele é projetado para alta
Aplicações de freqüência onde a alta eficiência e a fiabilidade elevada são necessárias.

 
Dispõe de
Baixa perda de potência
Reversão de zero a corrente de recuperação
Avanço zero tensão de recuperação
Coeficiente de Temperatura Positivo em VF
175ºC operando temperatura da junção
Os pedidos
Modo de comutação de fontes de alimentação
Power Factor Correction
Acionamento do Motor, PV inversor de potência eólica station
 
O PARÂMETRO Símbolo Valor Unidade
 
Repetitivas de pico de tensão inversa VRRM 650 V
Trabalhando o pico de tensão inversa VRWM 650 V
DC tensão de bloqueio VR 650 V
Média de mosto de corrente de avanço A-220(Tc=25ºC)
  		Se (AV) 29 Um
A-220(Tc=150ºC) 14 Um
A-220F(Tc=130ºC) 8 Um
Tarefas repetitivas de avanço de Pico de corrente de surto (t=10ms)t IFRM 39 Um
Nonrepetitive Pico de corrente de surto   T = 10ms IFSM 65 Um
Dissipação de energia Ptot 125 W
Junção de Operação da Faixa de temperatura Tj -55~175 ºC
Temperatura de armazenamento de gama Tstg -55~175 ºC
 
Especificações do produto e modelos de embalagens
O modelo do produto Tipo de pacote Nome de marca
O SDS065J0083 Fixação DFN 8*-4L O SDS065J0083
 

 

Semicondutor

TERAPIASINFRONTERAS.COM, 2023